Вул Бенцион Моисеевич – ученый-физик, член-корреспондент Академии наук СССР.

Родился 22 мая 1903 года в городе Белая Церковь, ныне Киевской области Украины, в рабочей семье. Еврей. Отец был кузнецом, колесником, имел небольшую мастерскую. В Белой Церкви окончил двухклассную еврейскую школу, затем учился в высшем начальном училище, Белоцероковской гимназии.

В 1920 году гимназист Вул добровольцем ушел в Красную Армию. Воевал в Первой конной армии. В начале 1921 года, как не достигший 18-летнего возраста, был демобилизован. По возвращении в Белую Церковь был избран секретарем городской организации комсомола и на этой работе оставался несколько месяцев.

В 1921 году Киевским губкомом комсомола был мобилизован в Киевский политехнический институт, где был зачислен на электротехнический факультет. Учебу совмещал с комсомольской работой, в 1922 году вступил в ВКП(б)/КПСС. Выполненная им дипломная работа представляла собой проект тепловой электростанции для будущего Днепрогэса. Еще во время работы над дипломом был зачислен в аспирантуру электротехнического факультета Киевского политехнического института. В январе 1928 году окончил институт и был оставлен аспирантом на кафедре электротехники. Аспирантуру закончил в конце 1929 году, защитив публично диссертацию.

В начале 1930 года был рекомендован Киевским окружным партийным комитетом в аспиранты Академии наук СССР. В том же году переехал в город Ленинград (ныне – Санкт-Петербург). С 1932 году работал лаборатории диэлектриков в Физическом институте Академии наук СССР, под руководством академика А.Ф. Иоффе. Занимался проблемой электрической прочности твердых диэлектриков и газов.

С 1934 года жил и работал в городе Москве, куда переехал институт. С этого же времени возглавлял лабораторию физики диэлектриков, организованную им по предложению директора института академика С.И. Вавилова. Этой лабораторией, впоследствии преобразованной в лабораторию физики полупроводников, он бессменно руководил более полувека. В 1935 году за совокупность работ по изучению электрического пробоя диэлектриков Вулу была присуждена ученая степень доктора физико-математических наук. В конце 1938 году закончил аспирантуру Академии наук и был оставлен в Академии ученым специалистом. В 1939 году был избран членом-корреспондентом Академии наук СССР.

В годы Великой Отечественной войны работал в эвакуации в городе Казани. Основные работы того времени посвящены физике диэлектриков. Исследовал электрическую прочность диэлектриков, открыл новую форму пробоя (последовательного) диэлектрика, изучал электрические разряды в газах в однородных и неоднородных полях при различных давлениях. Исследовал твердые диэлектрики с высокой диэлектрической проницаемостью, явления в диэлектриках при сильном гамма-облучении, установив основные закономерности изменения электропроводности диэлектриков под действием гамма-излучения. Открыл и исследовал сегнетоэлектрические свойства титаната бария (1944), чем положил начало созданию нового класса диэлектриков.

В 1948 году начал исследования по физике полупроводников. Активные исследования в этой области, развернутые в лаборатории Вула, привели к тому, что уже в 1952-1953 годах были созданы первые в СССР плоскостные диоды и транзисторы и первые в мире диффузионные транзисторы. Эти работы сыграли большую роль в становлении отечественной полупроводниковой электроники. Дальнейшие исследования в области фотоэлектрических явлений привели к созданию кремниевых фотоэлементов солнечных батарей. Создал диффузионный транзистор и предложил р-n-переходы в полупроводниках использовать в качестве нелинейных конденсаторов. В 1962 году совместно с другими осуществил первый в СССР полупроводниковый квантовый генератор. При непосредственном участии Вула в 1963 году созданы первые в СССР полупроводниковые лазеры.

Указом Президиума Верховного Совета СССР от 13 марта 1969 года «за большие заслуги в развитии советской науки» Вулу Бенциону Моисеевичу присвоено звание Героя Социалистического Труда с вручением ордена Ленина и золотой медали «Серп и Молот».

С первых шагов полупроводниковой электроники стало ясно, что ее развитие тесно связано с поиском новых полупроводниковых материалов, совершенствованием экспериментальных измерительных методик и разработкой новых технологий получения этих материалов. В 1964-1971 гг. под руководством Б.М. Вула выполнен цикл исследований свойств теллурида кадмия - перспективного материала для изготовления детекторов и счетчиков радиоактивного излучения и фотопреобразователей. Еще одним объектом интенсивных исследований в лаборатории Вула стали узкощелевые полупроводники - селенид и теллурид свинца, и твердые растворы на их основе. Фундаментальное значение имеют выполненные Б.М. Вулом исследования электропроводности в компенсированных полупроводниках

Значительный вклад в развитие советской физики Б.М. Вул внес, будучи заместителем академика-секретаря и членом бюро Отделения общей физики и астрономии АН СССР, а также председателем Научного совета АН СССР по проблеме "Физика и химия полупроводников", координировавшего в то время исследования в этой области. Он много внимания уделял подготовке высококвалифицированных научных кадров. В течение ряда лет преподавал в Киевском политехническом институте, в Ленинградском политехническом институте, в Военно-воздушной академии им. Н.Е. Жуковского. Многие его аспиранты стали известными физиками, работающими ныне в различных научных центрах страны.

Деятельность Б.М. Вула в международных научных организациях в качестве вице-президента Международного союза теоретической и прикладной физики и члена исполкома Европейского физического общества способствовала упрочению научных связей с учеными других стран

Много выступал в центральной печати и в журналах, пропагандируя достижения науки. Входил в состав редколлегий нескольких научных журналов, в течение многих лет был членом главной редакции Большой Советской Энциклопедии и главным редактором 5-томного Физического энциклопедического словаря, вышедшего в свет в 1960-1966 годах.

Лауреат Сталинской премии (1946, за открытие и исследование сверхвысокой диэлектрической проницаемости титаната бария), Ленинской премии (1964, за фундаментальные исследования, приведшие к созданию полупроводникового квантового генератора).

Жил в Москве. До последнего дня своей жизни продолжал научную работу. Умер 9 апреля 1985 года. Похоронен в Москве на Новодевичьем кладбище.

Награждён 5 орденами Ленина (10.06.1945; 19.09.1953; 21.05.1963; 13.03.1969; 25.05.1973), орденами Октябрьской Революции (17.09.1975), Трудового Красного Знамени (11.05.1981), Красной Звезды (02.1938), «Знак Почёта» (28.10.1967), медалями.

Биографию подготовил: Сергей Каргапольцев